半導(dǎo)體是集成電路的基礎(chǔ)，目前集成電路已經(jīng)占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的80%，近幾年隨著集成電路的蓬勃發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更加凸顯了半導(dǎo)體在工業(yè)生產(chǎn)上的重要作用。為更好了解半導(dǎo)體領(lǐng)域及其專利發(fā)展現(xiàn)狀，近日綱正知識(shí)產(chǎn)權(quán)中心對(duì)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的知識(shí)產(chǎn)權(quán)情況進(jìn)行檢索分析，并發(fā)布了《半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢(shì)報(bào)告》。
全球半導(dǎo)體專利申請(qǐng)情況
報(bào)告指出，截止到檢索日期為止，共檢索到全球半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域公開專利311萬件，其中中國(guó)公開專利數(shù)達(dá)30萬件。
從整體來看，半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)?zhí)幱谝粋€(gè)逐步增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，在1987年達(dá)到一個(gè)小高峰，在2001年又有一個(gè)爆發(fā)期，隨后一直持續(xù)走高，最高時(shí)2012年達(dá)到12萬的申請(qǐng)量，近幾年維持在10萬的申請(qǐng)量。
從地域來看，日本處于絕對(duì)領(lǐng)先地位，占據(jù)全球總申請(qǐng)量的40%，說明日本是此領(lǐng)域主要的技術(shù)研發(fā)地；美國(guó)地區(qū)專利申請(qǐng)量占全球?qū)＠暾?qǐng)總量的19%，說明美國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域有一定的技術(shù)積累；而中國(guó)作為半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要消費(fèi)國(guó)，以申請(qǐng)量占比11%位居第三，是半導(dǎo)體領(lǐng)域主要應(yīng)用國(guó)。
從全球企業(yè)專利申請(qǐng)情況來看，半導(dǎo)體領(lǐng)域主要申請(qǐng)人前10的排位中，日本企業(yè)就占據(jù)8位，可見日本在半導(dǎo)體領(lǐng)域處于絕對(duì)主導(dǎo)的地位；排名第一的韓國(guó)企業(yè)三星，其專利數(shù)量高達(dá)6萬余件，還有海力士申請(qǐng)量達(dá)3萬，也躋身前10。
從國(guó)內(nèi)企業(yè)專利申請(qǐng)情況來看，中芯國(guó)際以八干件的申請(qǐng)量遙遙領(lǐng)先，說明中芯國(guó)際在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位；臺(tái)積電排名第二，在中國(guó)大陸有較強(qiáng)的技術(shù)布局；而京東方作為國(guó)內(nèi)顯示行業(yè)的龍頭企業(yè)在半導(dǎo)體技術(shù)上也有明顯的優(yōu)勢(shì)；此外，中科院微電子研究所作為國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)的主力軍，在半導(dǎo)體領(lǐng)域也有較強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力。
材料領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)情況
從報(bào)告中可以看到，截止到檢索日期為止，在材料領(lǐng)域共檢索到全球公開專利20萬件。其中，1993年到2001年有一個(gè)大幅增長(zhǎng)的過程，2001年達(dá)到6000件的申請(qǐng)量，2002年到2009年處于個(gè)穩(wěn)定期，2010年開始又有一個(gè)小幅度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)短期內(nèi)會(huì)處于一個(gè)比較穩(wěn)定的態(tài)勢(shì)。
從材料領(lǐng)域全球?qū)＠暾?qǐng)情況來看，日本、中國(guó)、美國(guó)和韓國(guó)排名前四，這四個(gè)國(guó)家是此領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)密集區(qū)。
其中，日本企業(yè)處于絕對(duì)領(lǐng)先地位，其中SUMCO、信越也是全球硅片主要供應(yīng)商；同時(shí)，美國(guó)的應(yīng)用材料、IBM、MEMC在此領(lǐng)域也有較多的研發(fā)投入。
而在國(guó)內(nèi)，中芯國(guó)際處于領(lǐng)先地位，國(guó)內(nèi)主要有兩股研發(fā)勢(shì)力，企業(yè)如中芯國(guó)際、華力微電子、華虹宏力；高?？蒲性核兄锌圃喊雽?dǎo)體所、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)等。
晶體管專利申請(qǐng)情況
從晶體管專利申請(qǐng)情況來看，1968年到1986年一直處于一個(gè)快速發(fā)展的階段，專利申請(qǐng)量穩(wěn)步上升，1986年到1990年趨于穩(wěn)定在4000件左右；1996年到1998年又回升到一個(gè)小高峰，從2000年開始，有一個(gè)激增過程，2004年達(dá)到年申請(qǐng)量高峰7000件左右，隨后幾年申請(qǐng)量有所回落。而近幾年徘徊在六干件左右，預(yù)計(jì)近期趨于穩(wěn)定態(tài)勢(shì)。
在該領(lǐng)域，日本處于絕對(duì)領(lǐng)先地位，占全球申請(qǐng)量的36%，其次是美國(guó)和中國(guó)。在排名前10的申請(qǐng)人中，日本企業(yè)占據(jù)7席，其中東芝的申請(qǐng)量遙遙領(lǐng)先，可見日本是此領(lǐng)域主要的技術(shù)原創(chuàng)國(guó)。
而在國(guó)內(nèi)，中芯國(guó)際處于領(lǐng)先地位，在國(guó)內(nèi)此領(lǐng)域的主導(dǎo)地位；京東方排名第二，作為國(guó)內(nèi)顯示行業(yè)的龍頭企業(yè)，在晶體管領(lǐng)域也有較強(qiáng)的技術(shù)積累。
總結(jié)
半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)量整體處于一個(gè)逐步增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，在1987年和2001年分別有兩個(gè)爆發(fā)期，在2012年專利申請(qǐng)達(dá)到12萬件，預(yù)計(jì)未來幾年仍然會(huì)保持增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。
從地域來看，日本處于絕對(duì)領(lǐng)先地位，占據(jù)全球總申請(qǐng)量的40%，這說明日本是此領(lǐng)域主要的技術(shù)研發(fā)地；美國(guó)地區(qū)專利申請(qǐng)量占全球?qū)＠暾?qǐng)總量的19%，美國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域也有一定的技術(shù)積累；中國(guó)作半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要消費(fèi)國(guó)，以申請(qǐng)量占比11%位居第三，中國(guó)是半導(dǎo)體領(lǐng)域主要應(yīng)用國(guó)。
從企業(yè)來看，半導(dǎo)體領(lǐng)域全球主要申請(qǐng)人前10的排位中，日本企業(yè)就占據(jù)8位，可見日本在半導(dǎo)體領(lǐng)域處于絕對(duì)主導(dǎo)的地位；中國(guó)范圍主要申請(qǐng)人中，中芯國(guó)際以八千件的申請(qǐng)量遙遙領(lǐng)先，這說明中芯國(guó)際在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，京東方作為國(guó)內(nèi)顯示行業(yè)的龍頭企業(yè)，在半導(dǎo)體技術(shù)上也有明顯的優(yōu)勢(shì)，另外中科院微電子研究所作為國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)的主力軍，在半導(dǎo)體領(lǐng)域也有較強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力。
值得一提的是，半導(dǎo)體材料領(lǐng)域國(guó)內(nèi)主要有兩股研發(fā)勢(shì)力，企業(yè)如中芯國(guó)際、華力微電子、華虹宏力，高?？蒲性核兄锌圃喊雽?dǎo)體所、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)等。此外，晶體管領(lǐng)域國(guó)內(nèi)申請(qǐng)中，中芯國(guó)際和京東方處于領(lǐng)先地位。
