新器件進(jìn)一步提高電源效率
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽(yáng)能（PV）功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）和其他工業(yè)應(yīng)用。
TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持續(xù)漏極電流（ID）高達(dá)57A，脈沖電流（IDP）高達(dá)228A的650V器件該款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)，可有效減少電源應(yīng)用中的損耗。得益于更低的電容設(shè)計(jì)，該款增強(qiáng)型器件成為現(xiàn)代高速電源應(yīng)用的理想之選。.
關(guān)鍵性能指標(biāo)／品質(zhì)因數(shù)（FoM） – RDS(ON) x Qgd的降低使得電源效率得到提高。與上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的這一重要指標(biāo)提升40%，這意味著電源效率顯著提高，據(jù)測(cè)量，2.5kW PFC電路中電源效率提高大約0.36%[1]。
該款新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，既實(shí)現(xiàn)了與舊版設(shè)計(jì)的兼容性，也適用于新項(xiàng)目。
為滿足市場(chǎng)需求，東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容并幫助提高電源和電源系統(tǒng)的效率。
該款新器件的批量生產(chǎn)和出貨即日啟動(dòng)。
應(yīng)用場(chǎng)合
數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器電源等）
光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器
不間斷電源系統(tǒng)
特點(diǎn)
RDS(ON) × Qgd降低，支持開(kāi)關(guān)電源提高效率
